沟槽式MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202021209920.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213366600U | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN213366600U | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马明渡;王健 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种沟槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部。本实用新型沟槽式MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗，且降低了关断时的导通电阻。 |
