耐击穿MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202022826936.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213366605U | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN213366605U | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马明渡;王健 |
| 地址 | 215011 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种耐击穿MOSFET器件，其中掺杂P型基极区上部内且位于沟槽的周边具有第一重掺杂N型源极区，一介质层覆盖于沟槽上并延伸至第一重掺杂N型源极区内侧边缘的上方；沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部与沟槽之间填充有第二氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第三氧化硅层隔离；第二N型源极部下端的左拐角处和右拐角处的第二氧化硅层内分别设置有第一弧形高介电层、第二弧形高介电层。本发明耐击穿MOSFET器件缓和了沟槽拐角处的电场强度，提高了器件抗击穿的耐受能力。 |
