非易失性存储器的试错表的生成方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202011331608.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112331254A | 公开（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申请公布号 | CN112331254A | 申请公布日 | 2021-02-05 |
| 分类号 | G11C29/42(2006.01)I;G06K9/62(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 程威;占志刚 | 申请（专利权）人 | 泽石科技（武汉）有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 董文倩 |
| 地址 | 100085北京市海淀区上地东路1号院1号楼2层203-1室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种非易失性存储器的试错表的生成方法及装置。其中，该方法包括：获取导致非易失性存储器的读数据出错的环境变量；确定环境变量的定量描述数值，定量描述数值用于通过精确的数据描述环境变量；分别在不同的环境变量的定量描述数值下，读取非易失性存储器的数据；依据从非易失性存储器读取的数据生成非易失性存储器的试错表。本申请解决了当读Nand flash出现UECC时，利用nand flash厂家提供的固定试错表(retry table)纠正读出错的数据，导致纠错效率较低，而且厂家提供的固定试错表覆盖的使用场景较少的技术问题。 |
