一种Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga纳米晶磁芯的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310546391.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103680915A | 公开（公告）日 | 2014-03-26 |
| 申请公布号 | CN103680915A | 申请公布日 | 2014-03-26 |
| 分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 司雪楠 | 申请（专利权）人 | 重庆舒为科技有限公司 |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 安徽省智汇电气技术有限公司;重庆市弛电科技有限公司;吕小芹;曼特（广州）磁性器件有限公司 |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市弋江区高新开发区创意孵化园三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种Fe-Co-Zr-Nb-B-Ga纳米晶磁芯的制备方法，其具体步骤如下：将铁基非晶薄带施加张应力真空退火制得纳米晶薄带；将制得的纳米晶薄带进行破碎，得到纳米晶金属粉末；然后将纳米晶金属粉末分成不同等份的A、B料；A料加纳米级硅溶胶、Bi2O3和三聚磷酸钠进行处理，B料用滑石粉铝酸酯偶联剂DL-411、硬脂酸锌和水玻璃进行处理；将处理后的A料、B料混合均匀，加入聚乙烯醇水溶液，压制成型，将成型后的磁芯表面涂覆SY-151磁芯胶，固化，即得成品。本发明制备出来的磁芯成品具有磁损耗值低、耐高温等优点，其综合性能优良。 |
