带有参考器件的GaN基pH传感器
基本信息
| 申请号 | CN202010472252.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111579608A | 公开（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申请公布号 | CN111579608A | 申请公布日 | 2020-08-25 |
| 分类号 | G01N27/30(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈敦军;董燕 | 申请（专利权）人 | 徐州冠鼎光电有限公司 |
| 代理机构 | 江苏斐多律师事务所 | 代理人 | 徐州冠鼎光电有限公司 |
| 地址 | 221000江苏省徐州市云龙区绿地商务城（B7-1地块）officeG号楼1-1507 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种带有参考器件的GaN基pH传感器，其结构自下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层或者AlInN势垒层、GaN盖帽层；所述传感器设有感测区域和参考区域，在感测区域和参考区域设有独立的漏电极和栅电极，感测区域和参考区域之间设有共用源电极，所有的电极均蒸镀在AlGaN势垒层或者AlInN势垒层上，所述感测区域设有感测区。本发明在同一器件上同时包括感测区域和参考区域，新结构的器件具有较大的输出电流，同时具有很好的感测灵敏度和稳定性。由于输出电流的提高，可以在后续的商业应用中省掉电流放大的设计，起到简化电路设计和降低成本的作用。 |
