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一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法

基本信息

申请号 CN200810032677.8 申请日 -
公开（公告）号 CN101488385B 公开（公告）日 2011-05-11
申请公布号 CN101488385B 申请公布日 2011-05-11
分类号 H01C7/10(2006.01)I;H01C7/12(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张建 申请（专利权）人 上海思麦电子有限公司
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 代理人 苏州晶讯科技股份有限公司
地址 215163 苏州高新区东渚镇培源路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法。所述高分子基瞬态电压抑制元件，包括线路板基体，置于线路板基体两端的端电极，两金属线分别与两端电极焊接相连，金属线的周围以及置于两金属线的另一端部的微电极间充填有高分子压敏材料，高分子压敏材料的外侧置有保护层。印在中间层的高分子基压敏材料具有瞬态电压的抑制功能，当元件上有瞬态电压通过时，金属线端口微电极间的高分子基压敏材料被瞬态电压击穿放电，起到保护被并联的元件的作用。使用本发明制造方法可以获得所需的微电极，大大提高了产品的一致性；同时通过调整高分子压敏材料组合配比，可以得到不同特性的产品，满足不同的需求。