一种单晶硅片制绒剂及利用该制绒剂进行制绒的方法

基本信息

申请号 CN202010236704.4 申请日 -
公开(公告)号 CN111394796B 公开(公告)日 2021-04-30
申请公布号 CN111394796B 申请公布日 2021-04-30
分类号 C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 金炳生;高小云;刘兵 申请(专利权)人 晶瑞电子材料股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 王丽
地址 215000 江苏省苏州市吴中经济开发区河东工业园善丰路168号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种单晶硅片制绒剂,按质量百分计包括以下组分;无机酸10%‑25%、氧化剂5%‑15%、调控剂0.5%‑5%、引发剂0.1%‑1%,余量为去离子水。本发明还公开了一种利用该制绒剂进行制绒的方法,包括如下步骤:制备第一制绒剂,将单晶硅片放入该第一制绒剂中,在32℃下浸泡3分钟;制备第二制绒剂,将经过第一制绒剂处理的单晶硅片放入第二制绒剂中,在25℃下浸泡3分钟;将制绒后的单晶硅片放入硝酸和氢氟酸的混合溶液中超声清洗1分钟,然后对单晶硅片利用去离子水超声清洗,再用高纯氮气吹干,得到具有绒面结构的单晶硅片。本发明利用制绒剂可以在室温和很短的时间内完成制绒工艺,并且获得比碱性制绒所得的正金字塔绒面结构更好的倒金字塔绒面结构。