涂层导体用CeO2薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200710047474.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101188152B | 公开（公告）日 | 2010-08-11 |
| 申请公布号 | CN101188152B | 申请公布日 | 2010-08-11 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/06(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;B01J19/00(2006.01)I;B05D5/12(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘成远;蔡传兵;高波;彭麟;刘志勇 | 申请（专利权）人 | 上海上大资产经营管理有限公司 |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海大学;上海上创超导科技有限公司 |
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种利用有机盐通过化学溶液法制备双轴织构的涂层导体缓冲层薄膜CeO2的技术工艺。通过将Ce(CH3COO)3·1.5H2O与丙酸、异丙醇和乙酰丙酮混合并加热搅拌配得前驱水溶液。再经过涂层使前驱溶液涂覆在金属衬底上，在800-1000℃高温热处理后即可得到双轴织构且表面均匀、致密且平整的涂层导体的CeO2薄膜。 |
