提高涂层导体用CeO2薄膜厚度的方法
基本信息
| 申请号 | CN200710047473.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101178955A | 公开（公告）日 | 2008-05-14 |
| 申请公布号 | CN101178955A | 申请公布日 | 2008-05-14 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01);H01B5/14(2006.01);H01B12/06(2006.01);H01L39/24(2006.01);B01J19/00(2006.01);B05D1/00(2006.01);B05D5/12(2006.01);B05D7/24(2006.01);B05D3/02(2006.01);C22F1/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘成远;蔡传兵;应利良;刘金磊;陈昌兆 | 申请（专利权）人 | 上海上大资产经营管理有限公司 |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所 | 代理人 | 上海大学;上海上创超导科技有限公司 |
| 地址 | 200444上海市宝山区上大路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种通过对CeO2薄膜实施稀土离子掺杂以提高薄膜厚度且成本低廉的技术工艺。相应量的钇、钬、钐和锆等稀土离子的醋酸盐或乙酰丙酮盐经过溶解并加热搅拌掺入到醋酸铈的混合溶液中配成预计比例的掺杂前驱溶液。前驱溶液经烘烤后涂覆到金属衬底上，再进行下一步的热处理即可得到双轴织构且表面平整致密的高温超导涂层导体用CeO2薄膜。 |
