肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811562125.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585570A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585570A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I; H01L29/47（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; C22C5/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘维; 孟鹤; 王品东; 时新越 | 申请（专利权）人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 地址 | 132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小，进而可以减少制造过程中的废片率。 |
