一种沟槽肖特基二极管及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910496203.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110112222A | 公开（公告）日 | 2019-08-09 |
| 申请公布号 | CN110112222A | 申请公布日 | 2019-08-09 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328;H01L21/285 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王宇;孟鹤;刘维 | 申请（专利权）人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 地址 | 132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种沟槽肖特基二极管及制作方法，属于半导体技术领域。沟槽肖特基二极管包括:基底；外延层，基底的表面为外延层；沟槽，外延层的表面具有沟槽；栅氧化层，外延层的表面和沟槽内具有栅氧化层；多晶硅层，栅氧化层的表面为多晶硅层；势垒源区，两个沟槽间的外延层的表面为势垒源区；金属层，金属层包括第一金属层和第二金属层，势垒源区的表面为所第一金属层，第一金属层的表面为第二金属层。该沟槽肖特基二极管可以通过调节第一金属层和第二金属层的厚度配比，最终改变生成的势垒硅化物的功函数，从而改变沟槽肖特基势垒高度，并且生成的势垒硅化物厚度增加，使沟槽肖特基二极管的电学性能提高。 |
