一种用于X射线管的新型阴极结构
基本信息
申请号 | CN202121486435.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN215266182U | 公开(公告)日 | 2021-12-21 |
申请公布号 | CN215266182U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
分类号 | H01J35/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 谷胜栋 | 申请(专利权)人 | 科罗诺司医疗器械(上海)有限公司 |
代理机构 | 上海云沪专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郑义红 |
地址 | 200000上海市松江区九亭镇涞寅路1881号3幢一层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种用于X射线管的新型阴极结构,包括阴极主控栅极和单个发射器栅极,所述阴极主控栅极的内部设置有支撑支架,所述支撑支架的上方设置有阴极发射器组件,所述阴极发射器组件的底部设置有阴极发射器引线,所述支撑支架的底部设置有阴极主绝缘。该用于X射线管的新型阴极结构,添加偏压的方式是通过在阴极发射器组件周围增加一个圈状的电压,通过这种方式可以实现调控管电流,发射面积大小,快速关闭等功能,使用阴极发射器矩阵式发射结构,在阴极发射器组件上安装多个阴极发射器引线的结构,在阴极发射器组件和阴极主绝缘之间加多点不同的控制电压,以此来实现多点可控的发射结构,从而实现焦点和管电流实时调控。 |
