具有多晶硅层的晶圆的处理方法及其系统
基本信息
| 申请号 | CN202010016903.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161223A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161223A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/67;B24B7/22;B24B27/00;B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;B24B57/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李善雄 | 申请（专利权）人 | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 肖昀 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于处理具有多晶硅层的晶圆的方法。该晶圆装载在处理系统上。该处理系统包括研磨模块和连接研磨模块的清洁模块。研磨模块包括至少第一研磨盘和第二研磨盘。第一研磨盘和第二研磨盘中的每一个均包括用于研磨晶圆的研磨垫。将研磨浆施加到研磨模块的第一研磨盘上以进行多晶硅层的平坦化。在平坦化后，通过非离子表面活性剂溶液处理表面多晶硅层，使其表面性质改变为亲水性。在后CMP清洗工艺中，可以通过氟化氢溶液和SC1溶液轻松去除多晶硅层表面上的有机污染物，而无需额外的硫酸清洗工艺。 |
