半导体元器件及其制备方法及电子装置
基本信息
| 申请号 | CN202010072139.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223997A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223997A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卞成洙;金志勲;金玄永 | 申请（专利权）人 | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 饶婕 |
| 地址 | 266000山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体元器件的制造方法，其包括以下步骤：在半导体基体上设有若干个间隔设置的金属线，每一金属线包括自所述半导体基体的表面向外层叠设置的第一氮化钛层、金属层、第二氮化钛层；在所述半导体基体上沉积第一氧化物膜，以使所述第一氧化物膜覆盖所述金属线，且相邻的覆盖有所述第一氧化物膜的所述金属线之间间隔设置；沉积第二氧化物膜以覆盖所述第一氧化物膜，且所述第二氧化物膜与所述第一氧化物膜在相邻的所述金属线之间形成密闭的气隙；以及在所述第二氧化膜上沉积氮化物膜。上述制造方法有利于提高半导体元器件的良率。本发明还提供一种半导体元器件以及应用所述半导体元器件的电子装置。 |
