半导体元器件及其制造方法、电子装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

半导体元器件及其制造方法、电子装置

基本信息

申请号	CN202010166362.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113380713A	公开（公告）日	2021-09-10
申请公布号	CN113380713A	申请公布日	2021-09-10
分类号	H01L21/8242（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	金德容;吴容哲	申请（专利权）人	夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
代理机构	深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司	代理人	饶婕;龚慧惠
地址	266000山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室
法律状态	-

摘要

一种半导体元器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，包括依次设置的阵列区、隔离区以及外围区；在阵列区沉积第一氧化物层；在第一氧化物层、隔离区以及外围区上沉积第一多晶硅层；再沉积第二氧化物层；去除阵列区及隔离区上的第一多晶硅层及第二氧化物层；在阵列区开设线槽以贯穿第一氧化物层；在第一氧化物层、线槽内、隔离区及第二氧化物层上沉积第二多晶硅层；去除线槽内之外的第二多晶硅层及外围区上的第二氧化物层；再沉积金属层；设置掩膜，且金属层对应隔离区的区域从掩膜露出；蚀刻使得金属层形成开口以露出隔离区；在开口内沉积氧化物；以及蚀刻处理露出第一氧化物层，并对应线槽形成位线。本发明还提供一种半导体元器件及电子装置。