电容器的制备方法及电容器
基本信息
| 申请号 | CN202010158933.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113363385A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113363385A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L49/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李相晚 | 申请（专利权）人 | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种电容器的制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底上依次形成第一模层、第一支撑层、第二模层和第二支撑层，所述第一模层和所述第二模层中的至少一个包括具有低介电常数或超低介电常数的绝缘介质；开设至少一贯穿的接触孔，开设所述接触孔后的所述第一支撑层和所述第二支撑层形成一第一支撑层图案和一第二支撑层图案；在所述接触孔的内表面形成下电极，使得所述第一支撑层图案和所述第二支撑层图案位于所述下电极的侧壁；及移除开设所述接触孔后的所述第一模层和所述第二模层，其中，包括所述绝缘介质的所述第一模层和/或所述第二模层采用灰化工艺移除。本申请还提供由上述方法制得的电容器。 |
