半导体处理工艺及半导体元器件
基本信息
| 申请号 | CN202010072119.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223951A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223951A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/285 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朴相荣;金志勋;金玄永;徐康元 | 申请（专利权）人 | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 肖昀 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度。本发明还提供由上述半导体处理工艺制得的半导体器件。 |
