降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
基本信息
| 申请号 | CN201911417595.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111128714B | 公开（公告）日 | 2022-06-03 |
| 申请公布号 | CN111128714B | 申请公布日 | 2022-06-03 |
| 分类号 | H01L21/306（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘玉龙 | 申请（专利权）人 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 311201浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺，所属半导体活化技术领域，包括先将硅片放在特氟龙片盒中，并用浓度比为氨水：双氧水：水=1:2:20的溶液清洗5～10min，去除掉硅片表面的颗粒。接着将硅片在倒片机中倒入腐蚀笼中，进行对硅片的酸腐蚀过程。腐蚀结束后快速将腐蚀笼取出，采用快速排水的方式用大量纯水进行冲洗。接着用浓度5wt%的氢氟酸水溶液清洗，然后用四甲基氢氧化铵3wt%水溶液清洗5～8min，紧接着采用甩干机甩干。最后完成面检挑片过程。具有腐蚀均匀性优、工艺稳定性好和效率高的优点。解决了硅片腐蚀不均匀而在边缘出现白色色斑的问题。消除硅片表面的边缘白色色斑，提高外观品质。 |
