一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911408772.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111128784B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN111128784B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/311 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁昌峰 | 申请（专利权）人 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈相权 |
| 地址 | 311201 浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种测量方法，尤其涉及一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法。准备好经过清洗后的单晶硅晶圆作为原料，单晶硅晶圆的规格：8英寸，即直径为200mm，厚度为735μm，掺杂剂为B，晶向为100，电阻率为0.002～0.0033Ω·cm重掺产品。一种测量二氧化硅薄膜致密性的方法，测量方法科学合理，进一步提升后期产品品质。 |
