半导体器件测试系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010262889.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111537857A | 公开（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申请公布号 | CN111537857A | 申请公布日 | 2020-08-14 |
| 分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 蒋成明;雷仕建;刘福红;何强;王叙夫;王运 | 申请（专利权）人 | 深圳青铜剑科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件测试系统。所述半导体器件测试系统包括上位机、电源输入单元、门极驱动单元、温度调节单元及检测单元。所述上位机用于根据用户的测试指令发出不同的控制信号。所述电源输入单元用于根据上位机传输的控制信号提供高压电源。所述门极驱动单元用于根据上位机传输的控制信号产生对应的驱动信号。所述温度调节单元用于根据上位机传输的控制信号提供测试所需的温度。所述检测单元用于根据上位机传输的控制信号获取待测半导体器件的测试数据，并将测试数据传输至上位机以得到测试结果。本发明还提供了一种半导体器件测试方法。如此，可实现测试过程的集成控制，提高测试效率。 |
