一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202210230641.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744032A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744032A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/745（2006.01）I;H01L29/749（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏 | 申请（专利权）人 | 深圳基本半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种碳化硅MCT器件，其从下到上依次包括n型碳化硅衬底（1）、n型碳化硅缓冲层（2）、p型漂移层（3）、n型基区（4）；n型基区上部从左到右依次设有第一p型沟道区（5）、p型阳极区（7）和第二p型沟道区（5’），第一p型沟道区（5）和第二p型沟道区（5’）分别包裹有第一n型阳极区（6）和第二n型阳极区（6’）；n型基区（4）顶部一侧设有沟槽，沟槽侧壁覆盖有沟槽栅氧化层（8），沟槽内部填充第一栅电极（9），形成沟槽栅结构；n型基区（4）顶部另一侧覆盖有平面栅氧化层（8’），在平面栅氧化层（8’）上部填充第二栅电极（9），形成平面栅结构。本发明的器件导通性能好，适合作为高压大功率电力电子领域的基础元器件。 |
