一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210168633.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725185A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725185A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜蕾;张学强;喻双柏;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人 | 深圳基本半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法，终端结构包括元胞区和终端区，其中，元胞区中远离衬底的一侧设置有主结区，且主结区设置于外延层的表面；终端区包括若干场限环以及一个截止环，截止环设置于终端区远离主结区的边缘，若干场限环依次排列于主结区与截止环之间，且若干场限环间隔于终端区的表面设置；终端区的表面对应于若干场限环覆盖有场氧化层，在场氧化层的表面设置有浮空场板，浮空场板包括对应于场限环的重叠区域，以及对应于相邻场限环之间区域的延伸区域，延伸区域用于吸引空穴。本发明提供的功率半导体器件的场限环终端结构，能够实现更理想的耐压稳定性。 |
