一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202210231554.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744019A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744019A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏 | 申请（专利权）人 | 深圳基本半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用，所述沟槽型碳化硅MOSFET器件从下到上依次包括n型碳化硅衬底、n型掺杂外延层、n型电流传输层；所述n型电流传输层顶部两侧分别设有p型基区，在所述p型基区内侧设有相邻的双沟槽，所述相邻的双沟槽中间从上而下依次设有n型源区和p型沟道区；所述相邻的双沟槽内部均从上而下依次填充栅极和分裂栅，且所述栅极和所述分裂栅之间通过介质层隔开。 |
