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一种SiCLDMOS器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111129313.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113782611B	公开（公告）日	2022-06-14
申请公布号	CN113782611B	申请公布日	2022-06-14
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	杜蕾;和巍巍;汪之涵;喻双柏;张振中	申请（专利权）人	深圳基本半导体有限公司
代理机构	深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	518000广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
法律状态	-

摘要

本申请提供了一种SiC LDMOS器件及其制作方法。其中，SiC LDMOS器件包括SiC衬底、P阱区、N阱区、源区P+、源区N+、漏区N+、栅氧化层、多晶硅栅和SiN场氧层，SiN场氧层覆于SiC衬底与N阱区对应的表面，SiN场氧层靠近源区N+的边缘与N阱区靠近源区N+的边缘对齐，SiN场氧层靠近漏区N+的一侧具有斜面，SiN场氧层靠近漏区N+的边缘与漏区N+靠近源区N+的边缘对齐，栅氧化层覆于SiC衬底未覆有SiN场氧层的表面，多晶硅栅覆于栅氧化层与P阱区对应的表面，多晶硅栅靠近漏区N+的边缘与SiN场氧层靠近源区N+的边缘相接，多晶硅栅远离漏区N+的一侧与源区N+靠近漏区N+的一侧交叠。本申请能够实现更小的Cgd，甚至能够完全消除Cgd，进而能够有效地提升LDMOS器件的开关频率和性能。