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卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备

基本信息

申请号	CN201610506736.5	申请日	-
公开（公告）号	CN105908149B	公开（公告）日	2018-12-14
申请公布号	CN105908149B	申请公布日	2018-12-14
分类号	C23C16/26;C23C16/54	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	张海林;滕玉鹏	申请（专利权）人	赛瑞达智能电子装备（无锡）股份有限公司
代理机构	青岛联信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	青岛赛瑞达电子科技有限公司
地址	214000 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号瑞云6座1楼东三个逗号众创空间
法律状态	-

摘要

一种卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备，包括置料真空腔室、加热真空腔室、和加热装置，所述置料真空腔室设置有两个，所述加热真空腔室位于加热装置内，两端伸出并与对应的置料真空腔室设置的连通口相连通，所述置料真空腔室内安装有置料辊和输送辅助装置，所述输送辅助装置位于对应置料辊内侧，并与连通口对齐，所述输送辅助装置为上下相对设置并且相互啮合的两个压辊。卷对卷石墨烯薄膜连续生长设备将位于一端的置料真空腔室的铜箔通过加热真空腔室输送到另一端的置料真空腔室中，期间通过加热和反应气体，在铜箔上生长石墨烯薄膜，无须射频等离子体发生器，节能安全。输送辅助装置从两端将铜箔固定，使其不会受到对应置料辊上铜箔粗细的影响，使加热真空腔室内的铜箔始终保持水平，保证其与反应气体充分接触，提高石墨烯生产质量。