薄膜体声波谐振器及其制作方法

基本信息

申请号 CN202010828582.8 申请日 -
公开(公告)号 CN111988006A 公开(公告)日 2020-11-24
申请公布号 CN111988006A 申请公布日 2020-11-24
分类号 H03H3/02(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 黄韦胜;林瑞钦 申请(专利权)人 武汉衍熙微器件有限公司
代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限公司 代理人 武汉衍熙微器件有限公司
地址 430000湖北省武汉市江夏区经济开发区藏龙岛梁山头村惠风同庆花园一期G17-S栋1-2层6室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种薄膜体声波谐振器及其制作方法,该薄膜体声波谐振器包括依次层叠设置的衬底、第一电极、压电层和第二电极,压电层的谐振区内设有多个孔洞,孔洞在平行于衬底的方向上的截面形状与压电层中的晶体结构相适配,从而能大大减少压电层中横向声波的传输,有效避免声波能量的横向泄露。