一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉
基本信息
| 申请号 | CN202121407421.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216919483U | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN216919483U | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/02（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李小锋;逯占文;曹玉宝;李万朋 | 申请（专利权）人 | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡苏元专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214000江苏省无锡市锡山区锡北泾虹路15 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉，包括支架上端设置的单晶炉主体，单晶炉主体旁侧设置有立柱，立柱上部侧面设置有第一旋转升降装置和第二旋转升降装置，第一旋转升降装置连接有长晶副室，第二旋转升降装置连接有加料副室；长晶副室顶部设置有第一提拉装置，长晶副室中部设置有加热装置；加料副室顶部设置有第二提拉装置，第二提拉装置连接有加料器。本实用新型提供的具有双提拉副室的单晶硅生长炉，采用生长晶体时同步冷却及生长晶体收尾后预加热两种手段，缩短晶体冷却等待时间，采用双提拉副室分别完成生长和加料工作，加料准备不会额外增加时间，与传统方法相比，具有加料整体用时短、加料稳定可靠、设备成本低的特点。 |
