一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品

基本信息

申请号 CN202210242601.8 申请日 -
公开(公告)号 CN114703541A 公开(公告)日 2022-07-05
申请公布号 CN114703541A 申请公布日 2022-07-05
分类号 C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘海;彭亦奇;周子义 申请(专利权)人 连城凯克斯科技有限公司
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 214000江苏省无锡市锡山区锡北泾虹路15
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品,属于光伏与半导体硅片生产技术领域。本发明通过将坩埚内的硅原料加热熔融,再利用直拉单晶法进行单晶硅的生长;在单晶硅生长过程中,控制加料装置通过下料管向坩埚内持续添加硅原料,并利用高纯氩气辅助吹扫所述硅原料,使得硅原料落入坩埚内;在生长结束后,停止添加硅原料,将生长完成的单晶硅冷却后拆炉取出,得到单晶硅。本发明利用连续直拉法制备单晶硅,在进行单晶硅晶体生长的同时,持续向反应炉腔中添加硅原料,并利用高纯氩气持续吹扫下料管道,促使所述硅原料从下料管道落入反应坩埚内,避免了硅原料在管道中融化堵塞,提升了加料系统的稳定性。