分布反馈式激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310498595.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103545711B | 公开（公告）日 | 2015-12-30 |
| 申请公布号 | CN103545711B | 申请公布日 | 2015-12-30 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王火雷;米俊萍;于红艳;丁颖;王宝军;边静;王圩;潘教青 | 申请（专利权）人 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 |
