制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法
基本信息
| 申请号 | CN201210033017.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102545054B | 公开（公告）日 | 2013-02-06 |
| 申请公布号 | CN102545054B | 申请公布日 | 2013-02-06 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周旭亮;于红艳;王伟;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层；将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；退火。 |
