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NorFlash编程方法、建模方法及存算一体芯片

基本信息

申请号 CN201910407917.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111951858B 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN111951858B 申请公布日 2021-09-17
分类号 G11C16/10（2006.01）I;G11C16/14（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 王绍迪 申请（专利权）人 北京知存科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦1707
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种Nor Flash编程方法、建模方法及存算一体芯片，该方法包括：判断该闪存单元的目标电流与所述当前电流的差值的绝对值是否大于预设阈值；若是，判断所述当前电流是否大于所述目标电流；若所述当前电流大于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及写入电压模型得到写入电压，并控制编程电路将所述写入电压施加至该闪存单元；若所述当前电流小于所述目标电流，根据所述当前电流、所述目标电流以及擦除电压模型得到擦除电压，并控制编程电路将所述擦除电压施加至该闪存单元，即：利用写入电压模型或擦除电压模型直接获取到写入电压或擦除电压，省去了更新‑校验的反复迭代过程。