一种钇掺杂的AZO靶材及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200910108040.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101580384B | 公开（公告）日 | 2012-09-26 |
| 申请公布号 | CN101580384B | 申请公布日 | 2012-09-26 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张珂;胡茂横;王会文 | 申请（专利权）人 | 湘潭顺络电子有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 东莞南玻陶瓷科技有限公司;永州信柏科技有限公司;湘潭顺络电子有限公司 |
| 地址 | 518116 中国广东省深圳市龙岗区宝龙工业城锦龙三路宝昌利工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种钇掺杂的AZO靶材，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化钇，以及余量的氧化锌。本发明还提供了该钇掺杂的AZO靶材的制备方法，包含步骤：S1，按事先确定好的比例分别称取原料氧化锌、氧化铝、氧化钇粉末，加入粘结剂，加水混合均匀；S2，将混合物干燥后，将粉末进行压制成型，形成预先确定的形状和强度的坯体；S3，将坯体在常压和常气氛下在进行烧结，烧结温度为1200-1600℃。采用本发明所提供的靶材制得的透明导电膜具有透光率高、电阻率低，薄膜附着力好，致密完整，稳定性好等特点。 |
