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IGBT模块用快恢复整流二极管

基本信息

申请号 CN202023327304.9 申请日 -
公开（公告）号 CN214753781U 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN214753781U 申请公布日 2021-11-16
分类号 H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 崔峰敏 申请（专利权）人 傲迪特半导体（南京）有限公司
代理机构 江苏致邦律师事务所 代理人 徐蓓;尹妍
地址 210034江苏省南京市栖霞经济开发区润华路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层，所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。本实用新型的IGBT模块用快恢复整流二极管采用氮掺杂碳纳米层和三个环形结构，内环的硅基环顶端略陷入氮掺杂碳纳米层内降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定。