双结深光电二极管
基本信息
| 申请号 | CN201922458935.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211507661U | 公开（公告）日 | 2020-09-15 |
| 申请公布号 | CN211507661U | 申请公布日 | 2020-09-15 |
| 分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 崔峰敏 | 申请（专利权）人 | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 江苏致邦律师事务所 | 代理人 | 徐蓓;尹妍 |
| 地址 | 210034江苏省南京市栖霞区润华路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。 |
