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低压快恢复二极管

基本信息

申请号	CN202023314855.1	申请日	-
公开（公告）号	CN214672631U	公开（公告）日	2021-11-09
申请公布号	CN214672631U	申请公布日	2021-11-09
分类号	H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	崔峰敏	申请（专利权）人	傲迪特半导体（南京）有限公司
代理机构	江苏致邦律师事务所	代理人	徐蓓;尹妍
地址	210034江苏省南京市栖霞经济开发区润华路3号
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及低压快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上沉积碳纳米层，所述N型硅衬底和氮掺杂碳纳米层接触处设有凹陷结构，碳纳米层沉积在所述凹陷结构内。本实用新型在芯片上设置了两个有源区，设计局部缺陷来降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定。