一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法

基本信息

申请号 CN201610173841.1 申请日 -
公开(公告)号 CN105696071A 公开(公告)日 2016-06-22
申请公布号 CN105696071A 申请公布日 2016-06-22
分类号 C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 余剑云;李庆跃;李凯;张会选;徐峰 申请(专利权)人 黄山市东晶光电科技有限公司
代理机构 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 代理人 黄山市东晶光电科技有限公司
地址 245200 安徽省黄山市屯溪区迎宾大道168号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法,具体包括晶体生长过程中防止晶体底部大面积粘埚及生长结束后脱埚的工艺方法,本发明通过在等径生长后期对提拉速率、降温速率的控制,使得晶体长速变缓,接着通过调节电压值和操控提拉杆,使得晶体与坩埚壁相脱离。本发明可有效防止生长晶体底部大面积粘埚的发生,并且晶体直径一致性好,由于在冷却过程中晶体与坩埚壁分离,因而减小了晶体的热应力,大大降低了晶体开裂的概率,提高晶体的成品率和取材率,有利于减少生长周期,降低生产成本。