一种CVD金刚石生长基片台
基本信息
| 申请号 | CN202110466092.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113174590B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN113174590B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C23C16/458（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣 | 申请（专利权）人 | 上海征世科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海邦德专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 袁步兰 |
| 地址 | 201799上海市青浦区华浦路500号2幢西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种CVD金刚石生长基片台，包括台壳、冷却水管路、温度识别组件，台壳上表面为台面，台面上放置金刚石基片，台面分为若干个分区，每个分区内设置冷水槽，每个冷水槽通入独立控制流量的冷却水管路，温度识别组件识别每个分区的温度并调配该分区内冷却水管路的流量。基片台上方的等离子体进行气相沉积时，基片上不同的区域存在不同的温度，台面上进行区域细分，每个分区分别检测该区温度并调配该分区的冷却水流量，可以为不同的区域提供独立的冷量控制，高温区域通入更多冷却水，从而达到整个基片台温度趋向均匀的目的，提高金刚石膜成膜质量，厚薄均匀，无应力。 |
