一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置
基本信息
| 申请号 | CN202110418314.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113186517B | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN113186517B | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | C23C16/511（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣 | 申请（专利权）人 | 上海征世科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海邦德专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 袁步兰 |
| 地址 | 201799上海市青浦区华浦路500号2幢西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置，包括壳体、微波导向天线、基片、上磁板、下磁板，壳体侧壁分别设置进气口和废料口，沉积气体从进气口进入壳体，外界从废料口对壳体内部抽真空，上磁板水平设置在壳体内部的中间位置，下磁板设置在壳体内的底部，基片放置在下磁板上，微波导向天线从壳体顶部插入壳体内，微波导向天线向壳体内导入微波，微波在基片上方激发等离子体，上磁板和下磁板相面对的区域磁性相反形成竖直分布的磁感线，在基片水平面上磁感线至少包括第一磁区，第一磁区磁感线绕一竖直轴线旋转，第一磁区的旋转中心线位于基片范围内，第一磁区的边沿与基片边沿相切。 |
