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半导体器件的形成方法

基本信息

申请号 CN202010149007.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113363149A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113363149A 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L21/3065 分类 基本电气元件;
发明人 张海洋;纪世良;刘盼盼 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构 上海德禾翰通律师事务所 代理人 侯莉
地址 518118 广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件的形成方法，包括：提供初始化结构，使电感耦合等离子体装置分别输出第一功率、第二功率和第三功率，以在光刻胶图案的侧壁、光刻胶图案的顶部、光刻胶图案之间的待刻蚀层上形成保护层；然后去除光刻胶图案的顶部、以及光刻胶图案之间的掩膜材料层上的保护层，以在光刻胶图案的两侧形成侧墙；并以侧墙为掩膜去除侧墙之间的部分掩膜材料层；重复依次输出第一功率、第二功率和第三功率，形成目标结构。采用上述方案，不会出现因工艺窗口较小而造成的最终形成的目标结构偏离预设的位置或者小于预设的尺寸的情况；且输出三种功率多次刻蚀能够避免目标结构厚度不均匀的情况。