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半导体器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN202010415443.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113675091A 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN113675091A 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 纪世良;刘盼盼;张海洋 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构 上海德禾翰通律师事务所 代理人 侯莉
地址 518118广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：形成初始化结构，并在伪栅极、初始栅氧化层和半导体衬底的夹角处形成拐角；移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域以外的初始栅氧化层，以及移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域内的部分初始栅氧化层，以形成初始栅氧化层余留部，且在拐角与鳍部之间形成凹陷区；在伪栅极和鳍部的侧壁上、以及拐角的侧壁上形成侧墙；在侧墙周侧的半导体衬底上形成介质层，及在鳍部的顶部形成外延层；移除伪栅极、拐角以及初始栅氧化层余留部形成栅极沟槽；在栅极沟槽内沉积栅极材料以形成栅极结构。上述方法形成的栅极沟槽的尺寸更小，避免了因栅极沟槽尺寸增大使得栅极结构尺寸增大的问题。