MRAM器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010235486.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471245A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471245A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L27/22（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨成成;王百钱;何其暘;黄敬勇 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 上海德禾翰通律师事务所 | 代理人 | 侯莉 |
| 地址 | 518118广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种MRAM器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部材料层和位于所述底部材料层上的磁隧道结材料层；图形化所述磁隧道结材料层并停止于所述底部材料层，使磁隧道结材料层形成磁隧道结结构；在所述磁隧道结结构的侧部的底部材料层上形成第一介质层；在所述第一介质层上以及所述磁隧道结结构上形成顶部电极材料层；刻蚀所述顶部电极材料层、第一介质层和底部材料层，形成位于磁隧道结结构上的顶部电极层和位于磁隧道结结构底部的底部电极层。上述的方案，可以避免沉积于势垒层侧壁的磁性材料与势垒层直接接触，避免引起短路，故可以提高MRAM器件的性能。 |
