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MRAM器件的形成方法

基本信息

申请号 CN202010223192.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113451353A 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN113451353A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L27/22（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杨成成;王士京 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构 上海德禾翰通律师事务所 代理人 侯莉
地址 518118广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种MRAM器件的形成方法，所述方法通过首先图形化磁隧道结材料层中的第二磁性材料层和势垒材料层，并停止刻蚀于所述磁隧道结结构层中的第一磁性材料层，易于清除再沉积形成的残余磁性层；同时，刻蚀去除所述残余磁性层之后，在所述第二磁性层和势垒层的侧壁形成第一保护层，再以所述第一保护层为掩模刻蚀所述第一磁性材料层和底部电极材料层，形成第一磁性层和底部电极层，可以防止后续刻蚀过程中再沉积的磁性材料覆盖于势垒层的侧壁上，从而可以避免势垒层短路，故可以提高MRAM器件的性能。