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半导体器件及其形成方法

基本信息

申请号	CN202010190883.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113496948A	公开（公告）日	2021-10-12
申请公布号	CN113496948A	申请公布日	2021-10-12
分类号	H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张海洋;纪世良;刘盼盼	申请（专利权）人	中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构	上海德禾翰通律师事务所	代理人	侯莉
地址	518118广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件的形成方法包括：在第一区、第二区和切割区上形成横跨鳍部的初始栅极结构；在初始栅极结构上形成具有掩模开口的掩膜层，掩模开口还延伸至与切割区相邻的鳍部上；以掩膜层为掩膜刻蚀掩模开口底部的部分初始栅极结构,以形成初始沟槽；在初始沟槽的侧壁形成侧墙；以侧墙和掩膜层为掩膜刻蚀初始沟槽底部的初始栅极结构，以使初始沟槽形成栅极切割沟槽，栅极切割沟槽将初始栅极结构分割为位于栅极切割沟槽两侧的栅极结构。采用上述方案，利用具有掩模开口的掩膜层限制初始沟槽的位置，利用侧墙限制栅极切割沟槽的位置，栅极切割沟槽不会发生位移，对两侧鳍部的应力相等，半导体器件的性能更好。