电熔丝结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010211812.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451263A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451263A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L23/525;H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓华 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 上海德禾翰通律师事务所 | 代理人 | 侯莉 |
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：熔丝链，包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；分别与所述电极区连接的多个分立的插塞，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。上述的方案，可以提升电熔丝结构的性能。 |
