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一种互连结构的形成方法

基本信息

申请号 CN202010149002.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113363204A 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN113363204A 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L21/768 分类 基本电气元件;
发明人 纪登峰;金懿 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构 上海德禾翰通律师事务所 代理人 侯莉
地址 518118 广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种互连结构的形成方法，包括：通过在第一沟槽的底部和部分侧壁表面、以及第二沟槽的底部和部分侧壁表面形成第一黏附阻挡层，以第一黏附阻挡层为掩模，对第一沟槽侧部和第二沟槽侧部的介质层进行刻蚀处理。在进行刻蚀处理时，通过横向刻蚀处理，就可以形成第二区域上的剩余的介质层的顶面高于第一区域上的剩余的介质层的顶面的结构。通过这样的结构，使后续的刻蚀过程中，第一导电填充层顶面和第二导电填充层顶面之间的高度差降低，可以有效地提高器件的稳定性和可靠性。而第一黏附阻挡层和第二黏附阻挡层，可以对介质层形成保护，避免保护层材料或沟槽填充材料层扩散进入介质层。