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半导体器件的形成方法

基本信息

申请号 CN202010253527.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113496942A 公开（公告）日 2021-10-12
申请公布号 CN113496942A 申请公布日 2021-10-12
分类号 H01L21/768（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李强 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
代理机构 上海德禾翰通律师事务所 代理人 侯莉
地址 518118广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括接触区和非接触区；在所述基底上形成过渡层；对接触区上的所述过渡层进行改性处理，使接触区上过渡层的材料致密度小于非接触区上过渡层的材料致密度；进行改性处理之后，在所述过渡层上形成层间介质层，所述层间介质层中具有开口，所述开口暴露出接触区上的所述过渡层；采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述开口底部的所述过渡层。上述的方案，易于快速去除接触区上过渡层，对开口暴露出的非接触区的过渡层的侧壁的刻蚀损耗较小，因此避免刻蚀过程的底切效应，提高半导体器件的性能。