半导体键合结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111200988.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113644020B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN113644020B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄雷;冯光建;马飞 | 申请（专利权）人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体键合结构及其制备方法，在第一载片中形成相连通的第一凹槽、第一孔、第二凹槽，以及图形化的第一键合层；在第二载片中形成贯穿第二载片的第二孔，以及图形化的第二键合层；并通过将第一键合层与第二键合层键合构成具有空腔结构的临时键合载片；而后将半导体结构片通过临时键合胶键合于临时键合载片上，从而在后续的工艺过程中，临时键合胶内产生的内压力可以通过临时键合载片中的空腔结构得以释放，以此解决在高温高真空工艺过程中，因为临时键合胶产生的压力无法释放所造成的半导体结构片鼓泡、裂片等问题，以提高最终制备的转接板质量。 |
