欧姆接触GaN器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111480159.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889412A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889412A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邹鹏辉;王文博;马飞;李哲 | 申请（专利权）人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种欧姆接触GaN器件及其制备方法，先形成具有倾斜侧壁的光刻胶层，而后采用ICP刻蚀法图形化SiN钝化层，形成具有倾斜侧壁的SiN钝化层，而后进行离子注入在外延结构中形成贯穿AlGaN势垒层且底部延伸至GaN层中的源极区及漏极区，且源极区及漏极区的掺杂浓度均呈高斯分布，之后采用ICP刻蚀法，图形化AlGaN势垒层及GaN层，形成具有倾斜侧壁的GaN层，且显露中心掺杂区，再形成与中心掺杂区对应接触的源金属电极及漏金属电极，以及贯穿SiN钝化层与AlGaN势垒层接触的栅极金属电极，从而在离子注入的基础上，即可优化欧姆接触，同时还可把欧姆接触电极作为垂直场板，以提升GaN器件的耐压性能。 |
