氮化钽薄膜电阻及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011367144.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112562946B | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN112562946B | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01C7/00（2006.01）I;H01C17/12（2006.01）I;H01C17/075（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邹鹏辉;马飞;莫炯炯;蔡全福;魏婷婷 | 申请（专利权）人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化钽薄膜电阻及其制备方法，通过在同一机台中，采用磁控溅射法形成依次堆叠的氮化钽层及钝化层的复合结构，从而通过钝化层可对氮化钽层进行保护，避免氮化钽层与外界环境接触，以使得氮化钽层具有良好的阻值稳定性；进一步的，当钝化层采用导电层时，通过钝化层即可实现氮化钽层与电极的互连，从而在整个制备工艺中，均可实现钝化层对氮化钽层的覆盖，以有效实现对氮化钽层的保护，以进一步的提高氮化钽层的阻值稳定性，以便制备高稳定性及一致性的氮化钽薄膜电阻。 |
