GaN基HEMT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111344640.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113793805B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN113793805B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王文博;程永健;李家辉;邹鹏辉;李哲 | 申请（专利权）人 | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种GaN基HEMT器件及其制备方法，在衬底上先形成外延结构及SiN钝化保护层，而后形成源极区及漏极区，及对应的源电极及漏电极，之后去除SiN钝化保护层，并进行表面清洗后，再采用原子层沉积及等离子退火工艺形成单晶AlN势垒层，以调制GaN沟道内二维电子气，同时在AlGaN势垒层内形成区域性薄层附属沟道，以提高器件整体线性度，且在同一沉积腔内采用原子层沉积在单晶AlN势垒层上形成非晶AlN钝化保护层，由于采用连续原位原子层沉积单晶和非晶AlN层，可以提高晶体/非晶AlN的界面质量，以优化器件Pulse‑IV特性，且AlN层的高热导率，较好的散热性，还可以提高器件整体散热性能。 |
